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Start Schlagworte FAMES-Pilotlinie

Schlagwort: FAMES-Pilotlinie

Quelle: Fraunhofer IPMS, Illustration von ferroelektrischen Bauelementen auf HfO ₂-Basis, die skalierbare, CMOS-kompatible nichtflüchtige Speicher ermöglichen. Die Architektur unterstützt die Integration sowohl in Front-End- (FeFET) als auch in Back-End-Speicherstrukturen und eröffnet gleichzeitig Möglichkeiten für fortschrittliche ferroelektrische Funktionen wie multiferroische, pyroelektrische und abstimmbare HF-Bauelemente.

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Erfolgreicher Waferaustausch für ferroelektrische Speichermaterialien

Beat Eglin - 25. März 2026 0

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